100a high power mos trigger switch driver module

100A high power MOS trigger switch driver module Field Effect Tube PWM regulation electronic switch control Модуль драйвера триггерного переключателя MOS высокой мощности 100A. MOSFET-драйвер – модуль электронного коммутатора на базе полевых транзисторов, для управления нагрузками с высоким потребляемым током. Доступен в трех версиях: 20A, 50A, 100A. Позволяет коммутировать устройства постоянного тока с помощью слабого управляющего сигнала (5-12В) от микроконтроллера или другого источника. Работает в диапазоне напряжений 5-26В, поддерживает обычное переключение (вкл/выкл), так и PWM-регулирование выходной мощности. Применение: управления скоростью двигателей или яркостью освещения, температурой нагревательных элементов. Крепление: Монтажные отверстия для винтов Метод охлаждения: Пассивный (при высоких нагрузках рекомендуется дополнительный радиатор) Характеристики: • Brand Name: RQG • Напряжение: 5-26В • Ток: 100А • Рабочая температура: 40°C до 85°C • Размеры: 18 х 27 мм SMD: HYG012N03 - N-Channel 30V 380 A Примечание: • При длительной работе с нагрузкой более 50% от максимальной, рекомендуется обеспечить дополнительное охлаждение MOSFET-транзистора. Для версий 50A и 100A использование радиатора является обязательным при длительной работе на высоких токах. Радиатор можно приклеить термоклеем или установить с использованием теплопроводящей пасты. • Защита от обратного ЭДС - при коммутации индуктивных нагрузок (двигатели, соленоиды, реле и т.д.) необходимо использовать диод-супрессор параллельно нагрузке для защиты MOSFET от пиковых выбросов напряжения. Диод подключается катодом (полоской) к положительному выводу нагрузки, анодом к отрицательному. • Для высокотоковых версий (50A/100A) используовать провода соответствующего сечения (не менее 4кв.мм для 50A, 10кв.мм для 100A) с качественным лужением, обжимными наконечниками. Ненадежное соединение приведет к нагреву и падению напряжения. • Для стабильной работы с PWM-управлением рекомендуется использовать частоту не менее 1 кГц. При низких частотах (<200 Гц) возможна повышенная пульсация и шум в нагрузке. Если управляющий сигнал подается на значительном расстоянии от модуля, желательно использовать экранированные провода или витую пару для уменьшения влияния электромагнитных помех. • Модуль не имеет встроенной защиты от перегрузки, рекомендуется использовать внешний предохранитель соответствующего номинала в цепи питания. Защита на микроконтроллере, подающем управляющий сигнал, с использованием датчика тока для мониторинга потребления энергии и предотвращения перегрузки.