Підсилювач mosfet, 200w

1970 грн

Описание

Тип комплектуючих: Модулі

Кілька примірників у наявності

ЗНИЖКА 10%! на з а й т і (************
Після підвищення якості силових МОСФЕТ транзисторів та зниження їхньої ціни, величезна частина радіоаматорів почала замислюватися про застосування даних транзисторів у вихідних каскадах підсилювачів. І якщо перші «польовики» грішили якоюсь замиленістю, то з розвитком схем і самих приладів проблема якості звуку почала поступово йти.
Також слід зазначити безперечні переваги польових транзисторів перед біполярними:
1. ПТ витримує помітно більші імпульсні навантаження, точніше перевантаження.
2. Відсутність вхідних струмів, у ряді випадків, дозволяє значно спростити каскади, що розгойдують.
3. Параметри менш залежні від температури, причому вони мають велику лінійну ділянку передавальної характеристики.
Підсилювач зібраний на 2 парах квазікомплементарних вихідних транзисторів IRFP250N (Демонтаж) з несиметричними попередніми каскадами, також модуль оснащений схемою термостабілізації та регулювання струму спокою.
При використанні 8 Ом акустики, напругу живлення можна підняти до 55-60В для отримання еквівалентної потужності за 4 Ом.
Модуль простий у налаштуванні та вимагає лише виставлення струму спокою, залежно від напруги живлення. Оптимальним струмом спокою вихідного каскаду є 60-120мА, що приблизно дорівнює 100-200мА по живленню модуля в цілому. Для регулювання струму спокою закорочується вхід, відключається навантаження, включається амперметр в розрив одного з плечей живлення і за допомогою підстроювального резистора на платі виставляється необхідне значення, після чого потрібна пауза 5-10хв. для прогрівання радіатора. Слід орієнтуватися саме на прийнятну температуру радіатора (+ запас для закритого корпусу).
Для пасивного охолодження при напрузі живлення близької до максимальної потрібний радіатор не менше 1500 кв.
Суб'єктивно, підсилювач порадував якістю звучання, може бути використаний для будь-якої акустики, в тому числі сабвуферів, що підходять за потужністю, може розглядатися як альтернатива підсилювачам на мікросхемах.
Модуль можна рекомендувати для побудови високоякісного підсилювача великої потужності, а також знайомства з польовими транзисторами на виході.

Вимірювання
Напруга живлення двополярна -52В...0...+52В
Навантаження 4 Ом
Максимальна потужність 204Вт
Потужність при тестуванні 150Вт
Струм спокою 150mA
Нерівномірність АЧХ (в диапазоні 40 Гц - 15 кГц), дБ +0.02, -0.12
Рівень шуму, дБ (А) -107,9
Динамічний діапазон, дБ (А) 108,0
Гармонійні спотворення, % 0,0210
Гармонійні спотворення + шум, дБ(A) -70,9
Інтермодуляційні спотворення + шум, % 0,0150
Інтермодуляції на 10 кГц, % 0,1370

Загальні характеристики
Вага, кг 0,164
Вихідні транзистори IRFP250N
Кількість каналів mono
Клас підсилювача AB
Напруга живлення, мінімальна (двухполярна/постійна) DC 25V
Напруга живлення, максимальна (двухполярна/постійна) DC 50V
Розмір модуля ДхШхВ, мм 90x100x35

Состояние: Новое

Цвет:

Разноцветный

Категории:

Сообщить о нарушении

Также ищут:

Проигрыватели винила Домашние кинотеатры Вытяжки Toslink Наушники motorola Переключатель без фиксации Накладки для наушников Многооборотный потенциометр Амбушюры пенные