Samsung DDR3 - модуль памяти состоящий из 1 планки объемом 4 Гб, имеет 2 ранга
и может работать на всех платформах AMD и Intel. Тактовая частота составляет
1333Мгц, эффективная пропускная способность 10600 Мб/с. Схема тайминга памяти
CL9. Обратите внимание, что данная модель имеет 2 ранга и будет работать на
материнских платах с сокетом s775. Вся оперативная память в нашем магазине
протестирована программой Memtest86.. Комплектация "tray". Состояние Б/У.