Gt50jr22. igbt-транзистор

Виробник: Toshiba Тип обладнання: Транзистори GT50JR22 Маркування: 50JR22 Тип керівного каналу: N-Channel Максимальна розсіювана потужність (Pc): 230 Гранично-допустима напруга колектор-емітер (Uce): 600 Напруга насичення колектор-емітер (Ucesat): 2.2 Максимально допустима напруга іміттер-закрива (Ueg): 25 Максимальний постійний струм колектора (Ic): 50 Максимальна температура переходу (Tj): 175 Час наростання: 180 Тип корпусу: TO-3PN